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循迹传感器在检测领域上有较为广泛的应用，尤其在机器人循迹前进的控制上多有所应用，但是由于循迹传感器模块的通信接口紧张，造成很多功能实现困难，目前电源电压大多为0-5V或0-24V，对于传感器模块为不同设备供电具有一定的局限性。—种循迹传感器模块，包括M⑶、磁传感器模块、通信模块和电源模块，所述M⑶通过U SART 口与通信模块连接，所述磁传感器模块为由若干相同的磁传感器组成的电路，所述MCU并行连接多个磁传感器;所述MCU由电源模块供电。

底电极层(BottomConductingLayer)和顶电

底电极层（Bottom Conducting Layer）和顶电极层（Top Conducting Layer）直接与相关的反铁磁层和自由层电接触。电极层通常采用非磁性导电材料，能够携带电流输入欧姆计，欧姆计适用于已知的穿过整个隧道结的电流，并对电流（或电压）进行测量。通常情况下，隧道势垒层提供了器件的大多数电阻，约为1000欧姆，而所有导体的阻值约为10欧姆。底电极层位于绝缘基片（Insulating Layer）上方，绝缘基片要比底电极层要宽，且位于其他材料构成的底基片（Body Substrate）的上方。底基片的材料通常是硅、石英、耐热玻璃、GaAs、AlTiC或者是能够于晶圆集成的任何其他材料。硅由于其易于加工为集成电路（尽管磁性传感器不总是需要这种电路）成为好的选择。

磁导航传感器结构原理图

磁导航传感器由磁铁、线圈、弹簧、金属骨架和壳体等组成。系统产生恒定直流磁场，磁路中工作气隙是固定不变的，因而气隙中的磁通也是恒定不变的。它们的运动部件可以是线圈，又可分为圈式或动铁式两种结构类型。恒磁通磁传感器结构原理图磁铁与传感器壳体固定，线圈和金属骨架(合称线圈组件)用柔软弹簧支承。线圈组件与壳体固定，磁铁用柔软弹簧支承。

以霍尔元件为敏感元件的磁传感器

以霍尔元件为敏感元件的磁传感器通常使用聚磁环结构来放大磁场，提高霍尔输出灵敏度，从而增加了传感器的体积和重量，同时霍尔元件具有功耗大，线性度差的缺陷。AMR元件虽然其灵敏度比霍尔元件高很多，但是其线性范围窄，同时以AMR为敏感元件的磁传感器需要设置Set/Reset线圈对其进行预设/复位操作，造成其制造工艺的复杂，线圈结构的设置在增加尺寸的同时也增加了功耗。以GMR元件为敏感元件的磁传感器较之霍尔电流传感器有更高的灵敏度，但是其线性范围偏低。